上世纪八十年代从师于著名铁电国际权威L.Eric Cross 并获博士学位。而后一直在国际著名研究机构与国际高科技芯片和MEMS传感器企业，从事非易失性存储器芯片与MEMS芯片的开发，工作在前沿产品产业化的第一线，在MRAM，FeRAM和ReRAM等新型非易失性存储芯片领域均有建树。曾与团队一起在国际上最早提出采用 Ta、W等非磁性重金属薄膜并利用 Edelstein效应制造垂直磁化 SOT（自旋轨道转矩）MRAM存储器芯片。2018年底回国工作，回国前曾担任务某企业技术总监。

分享主要内容：
1） 新型非易失性存储芯片产业化进展
2） MRAM与铁电非易失性存储技术的进展
3） 探讨各类新型非易失性存储芯片的特点和优势以及应用场景

国家特聘专家（2016），深圳孔雀A海外高层次人才（2019）， 深圳大学电子与信息工程特聘教授，微电子研究院封测中心主任（2021-）），宁波大学材化学院安中讲习教授（2018-），新加坡国立大学博士后（1996-1998），中国科学院化学研究所高分子化学博士（1996），在新加坡和美国工作18年，先后服务于日立化成（HCAP）任高级工程师，美光科技（Micron）任主任研究员，星科金朋（StatschipPAC）任高级经理，新加坡微电子研究所（IME）任技术顾问，瑞士SFS集团旗下Unisteel公司技术总监。2014回国加入硕贝德无线科技（SPEED）任CTO负责TSV制造和指纹模组封装技术开发。

分享主要内容：
1.存储芯片50年技术发展史；
2.先进封装技术包括倒装焊接，3D封装，硅通孔，晶圆级封装；
3.未来50年存储芯片封装技术方向探讨。

北京工业大学材料学院博士，清华大学机械工程系博士后；曾任职于中科院微电子所、华为海思，现任职沛顿科技首席技术官；拥有十多年先进封装技术研发及管理经验，曾主持及参与02专项项目、973项目、863项目、广东省重点研发计划、深圳科创委重点研发项目、博士后基金项目等；科技部材料专家成员。国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事、专家咨询委员会成员；安徽省半导体行业协会理事；国内外核心期刊发表学术论文50多篇，申请发明专利30多项。

由于半导体工艺越来越接近极限，每一代工艺带来的性能增益越来越小，先进封装将成为芯片性能提升的主要推动力。因此，随着高端存储芯片的演进，先进封装技术会更多地被应用。对于半导体封测领域的企业来说，先进封装技术的挑战与未来的发展趋势，是一个值得深入探讨的议题。
本次演讲将主要谈及先进存储封装技术发展趋势与挑战，重点介绍POPt、3D TSV、Hybrid Bonding等先进封装技术的挑战，并阐述沛顿科技在存储芯片封装技术领域的整体解决方案及技术规划。

毕业于现武汉理工大学，在半导体产业界有20多年销售和产品市场经验，行业思维敏锐，在多家半导体企业担任重要职务，并取得很好的成绩。先后任职意法半导体，飞思卡尔半导体，闪迪半导体，台湾旺宏电子。在亚太区NOR Flash市场推广，MCU产品定义，大中国区存储市场开发，都有建树。2019年加入东芯半导体，带领团队建设存储器的国内外生态系统，用多年的行业经验带领团队开拓产品市场，将东芯的存储产品带入到更广泛的领域中去。

分享主要内容

1、存储市场现状分析
2、本土存储正在不断努力，持续创芯，追赶国际领先
3、东芯半导体作为本土存储Fabless芯片设计企业，如何踏踏实实走存储创芯之路，实现自主创芯

随着国内新兴领域持续蓬勃发展，给存储芯片带来了更大的市场需求，汽车产业、新基建等产业发展尤其迅猛，市场机遇广阔，但对存储芯片的性能也提出了更高的要求。东芯半导体作为本土Fabless芯片企业，持续优化产品性能，在精进产品制程的同时，提高产品性能也是重中之重，实现自主创芯，追赶国际领先水平。