祝杰杰 教授

西安电子科技大学

氮化镓半导体制造中凹槽栅、三维栅、台面隔离、低阻欧姆、背通孔等均涉及干法刻蚀工艺。氮化镓是一种物理与化学性质非常稳定的化学材料，通常利用Cl2或BCl3基等离子对材料进行刻蚀，刻蚀后表面容易存在反应副产物残留或表面缺陷，影响器件的输出电流、表面漏电、击穿等性能。针对射频与功率器件应用需求，基于ICP/氧化/化学清洗等方法开展了氮化镓半导体的原子层刻蚀、选择性刻蚀、表面修复等技术研究，相关方法应用于器件制备中实现了高性能的射频与功率器件。

西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师。2016年博士毕业于西安电子科技大学，2019-2020年在英国布里斯托大学开展博士后研究。目前研究方向包括硅基氮化镓毫米波器件与芯片、化合物半导体毫米波/太赫兹器件与工艺，与业内多个知名企业保持了长期的产学研合作。已发表SCI论文60余篇，获授权国家发明专利21项，成果获得省部级一等奖2项。

孙钱 研究员、博导

中国科学院苏州纳米技术

与纳米仿生研究所

第三代半导体氮化镓（GaN）具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高等特点，特别适合制备中低压、高频、高温功率电子器件，在消费类电子快充、激光雷达、大数据中心等电源管理系统有着广泛而重要的应用前景。本报告重点讨论硅基GaN增强型HEMT功率电子器件的核心制备工艺，特别是凹槽栅结构的可控制备和刻蚀损伤修复及其对栅极漏电和阈值电压漂移等的影响。

中国科技大学材料物理学士，中科院半导体所硕士，耶鲁大学博士，国家重点人才工程A类（首批青年项目），国家优青，国家技术发明一等奖获得者（排名第4）。现任中科院苏州纳米所研究员、博导，长期致力于III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件的研发及产业化。在Nature Photonics、Light、IEEE EDL等期刊上发表学术论文110余篇，是40余项专利的发明人。

黄承扬 博士

牛津仪器科技（上海）有限公司

制程技术与业务拓展经理

今年正是GaN功率器件爆炸性成长的一年, 各地都可看到GaN normally-on为主的充电模块普及流行, 此时, 大家也都在问下一代更低导通电阻，更低传导损耗的normally-off p-GaN HEMT 或MISHEMTs何时降临?

此关键落在原子等级控制的闸极蚀刻与绝缘层薄膜沉积, 对于

· 绝缘层的崩压能力提升, 并避免电性损伤的原子层沉积技术(ALD)

· 稳定刻蚀出闸极, 并有效控制AlGaN残留厚度的原子层蚀刻技术(ALE)

将是左右下一代GaN功率器件的战略关键。

此次讲演与业界分享最新的原子层沉积与蚀刻技术发展, 同时推出稳定可控的量产可行方案。

黄承扬博士毕业于清华大学电机学院，发表过18篇论文；拥有19项专利，曾经任职于工业技术研究院，拥有超过10年的研发经验，并于2011年加入牛津仪器。主要专长在于Micro LED、III-V光电半导体制程，与GaN/SiC高功率器件。